12月30日，高投集團(tuán)旗下多只基金共同投資的英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（02577.HK）正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。英諾賽科本次港股上市的基石投資者包括江蘇國(guó)有企業(yè)混合所有制改革基金、省戰(zhàn)新基金蘇州產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)基金（蘇州高端裝備產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)母基金）、吳江東方國(guó)資及意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）。集團(tuán)旗下管理公司毅達(dá)資本亦是英諾賽科前期投資者。
英諾賽科成立于2017年，是一家專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品主要包括分立器件、集成電路、晶圓、模組等。據(jù)弗若斯特沙利文公開(kāi)資料現(xiàn)實(shí)，按2023年收入計(jì)，英諾賽科在全球所有氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一。
作為全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)，也是全球唯一具備規(guī)模量產(chǎn)全電壓譜系硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品能力的公司，英諾賽科通過(guò)打造硅基氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈平臺(tái)，填補(bǔ)了行業(yè)空白，完善了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局。與6英寸硅基氮化鎵晶圓相比，英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)技術(shù)能夠使每晶圓的晶粒產(chǎn)出數(shù)提升80%，單顆芯片成本降低30%。
氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模增長(zhǎng)迅速，作為第三代半導(dǎo)體材料的佼佼者，根據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到2028年，全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到501億元人民幣，占全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的10.1%。相比傳統(tǒng)硅材料，氮化鎵憑借高頻、高耐壓和高電子遷移率等性能優(yōu)勢(shì)，已在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏發(fā)電站等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊應(yīng)用前景。英諾賽科作為氮化鎵行業(yè)的率先變革者，隨著其在港交所主板的成功上市，將有望借助國(guó)際資本市場(chǎng)的力量進(jìn)一步提升在全球氮化鎵市場(chǎng)的地位。
為繼續(xù)前瞻布局未來(lái)產(chǎn)業(yè)，江蘇省政府印發(fā)的《關(guān)于加快培育發(fā)展未來(lái)產(chǎn)業(yè)的指導(dǎo)意見(jiàn)》提出，優(yōu)先發(fā)展第三代半導(dǎo)體等10個(gè)成長(zhǎng)型未來(lái)產(chǎn)業(yè)，形成新質(zhì)生產(chǎn)力，增強(qiáng)發(fā)展新動(dòng)能。集團(tuán)投資英諾賽科有助于落實(shí)省委省政府關(guān)于推動(dòng)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)融合集群發(fā)展的戰(zhàn)略目標(biāo)，提高省內(nèi)氮化鎵鏈主企業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。未來(lái)，英諾賽科將進(jìn)一步加速技術(shù)創(chuàng)新和業(yè)務(wù)拓展的步伐，提升品牌影響力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，鞏固其作為氮化鎵全球龍頭的地位，在新一輪全球化產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中創(chuàng)造更加輝煌的成就。
